CLSH1001-Firmware/include/sw7203/sw7203.h

#ifndef __SW7203_H__
#define __SW7203_H__

#include "driver/i2c_master.h"
#include "esp_log.h"

static i2c_master_dev_handle_t SW7203_I2C_handle;
int8_t *SW7203_Mutex = NULL;

typedef union
{
    uint8_t hex;
    struct
    {
        uint8_t adc_filter_time : 2; // 0: 10mS 1:20mS 2:40mS 4: 80mS
        uint8_t : 2;
        uint8_t adc_data : 4; // 0: VBAT电压 1: VBUS电压 4: VBAT充电电流 5: VBUS 充电电流 6: VBAT 放电电流 7:VBUS 放电电流 8: 芯片温度 9: NTC电压 10: VSYS电压
    } config;
} adc_config;

typedef enum
{
    sw7203_I2c_0x3C = 0,
    sw7203_I2c_0x38 = 1,
    sw7203_I2c_0x1C = 2,
    sw7203_I2c_0x18 = 3
} sw7203_I2C_address_t;

typedef struct
{
    uint16_t VBUSVoltage_cV;               // 放电 VBUS 输出电压设置 [300,2200] 单位：厘伏（cV）
    uint8_t VBUSCurrentLimit_5cA;          // 充电 VBUS 输入限流设置 [10,137] 单位：五十毫安/五厘安（50mA/5cA）
    uint8_t VBATCurrentLimit_dA;           // 充电 VBAT 输入限流设置 [1,120] 单位：分安（dA）
    uint8_t VBATVoltageLimit_dV;           // 放电 VBAT 欠压设置 [27,1320] 单位：分伏（dV）
    uint8_t VBATVoltageLimitHysteresis_dV; // 放电 VBAT 欠压迟滞设置 [4,20] 单位：分伏（dV）
} sw7203_Vout_config_t;

typedef struct
{
    sw7203_I2C_address_t i2cAddress;
    void *Mutex;

    uint16_t chargeVoltage_cV;          // 充电目标电压设置 [300,1920] 单位：厘伏（cV）
    uint8_t trickleVoltage_dV;          // 涓流电压设置 [25,132] 单位：分伏（dV）
    uint8_t chargeVBUSVoltageLimit_dV;  // 防拉挂电压设置 [40,200] 单位：分伏（dV）
    uint8_t chargeVBUSCurrentLimit_5cA; // 充电 VBUS 输入限流设置 [10,137] 单位：五十毫安/五厘安（50mA/5cA）
    uint8_t chargeVBATCurrentLimit_dA;  // 充电 VBAT 输入限流设置 [1,120] 单位：分安（dA）
    uint8_t chargeLDOCurrentLimit_dA;   // LDO 充电电流设置 [1,20] 单位：分安（dA）
    uint8_t VSYSMinVoltage_2dV;         // VSYMIN 电压设置 [15,83] 单位：2分伏（2dV/0.2V）

    union
    {
        uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取

        struct
        {
            uint8_t : 3; // 未定义的 bit 不能被改写

            uint8_t shutdownLowPowerModeEnable : 1;
            // 关机低功耗模式使能标志位：
            // 0: 启用关机低功耗模式，1: 禁用关机低功耗模式

            uint8_t : 2; // 未定义的 bit 不能被改写

            uint8_t a1PortDetectEnable : 1;
            // A1端口检测使能标志位：
            // 0: 禁用A1端口检测，1: 启用A1端口检测

            uint8_t a2PortDetectEnable : 1;
            // A2端口检测使能标志位：
            // 0: 禁用A2端口检测，1: 启用A2端口检测
        } config;
    } connectDetect; // 负载接入检测及低功耗模式控制

    union
    {
        uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取

        struct
        {
            uint8_t switchFrequency : 2;
            // 开关频率选项：
            // 0: 300KHz，1: 200KHz，2: 400KHz，3: 800KHz

            uint8_t forcePWMModeEnable : 1;
            // 强制 PWM 模式使能：
            // 0: 禁用，1: 启用

            uint8_t : 2; // 未定义的 bit 不能被改写

            uint8_t NTCProtectEnable : 1;
            // NTC 过温保护使能
            // 0: 启用，1: 禁用

            uint8_t PowerMOSMinConductTime : 1;
            // 功率管最小导通时间设置：
            // 0: 下管最小导通时间 112nS，上管最小导通时间 133nS
            // 1: 下管最小导通时间 58nS，上管最小导通时间 81nS

            uint8_t VBUSVoltageRegulationMethod : 1;
            // VBUS 输出调压方式选择：
            // 0: I2C 调压，1: FB 调压
        } config;
    } funcConfig1;

    union
    {
        uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取

        struct
        {
            uint8_t deadzoneM1OpenM2Closed : 2;
            // M2 关 M1 开死区设置：
            // 0: 60nS，1: 20nS，2: 40nS，3: 80nS

            uint8_t deadzoneM1ClosedM2Open : 2;
            // M2 关 M1 开死区设置：
            // 0: 60nS，1: 20nS，2: 40nS，3: 60nS

            uint8_t deadzoneM3ClosedM4Open : 2;
            // M3 关 M4 开死区设置：
            // 0: 60nS，1: 20nS，2: 40nS，3: 80nS

            uint8_t deadzoneM3OpenM4Closed : 2;
            // M4 关 M3 开死区设置：
            // 0: 60nS，1: 20nS，2: 40nS，3: 60nS
        } config;
    } funcConfig2;

    union
    {
        uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取

        struct
        {
            uint8_t M2MOSRdsOn : 2;
            // M2 功率管内阻设置：
            // 0: 2.5mR，1: 5mR，2: 7.5mR，3: 10mR

            uint8_t nductanceValue : 2;
            // 电感感值设置：
            // 0: 1uH，1: 2.2uH，2: 3.3uH，3: 4.7uH

            uint8_t : 4; // 未定义的 bit 不能被改写
        } config;
    } funcConfig3;

    union
    {
        uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取

        struct
        {
            uint8_t ACOutRegResetControl : 1;
            // 适配器移出是否清除充电开关控制位：
            // 0: 清除，1: 不清除

            uint8_t stopChargingOnFullEnable : 1;
            // 充满停充使能：
            // 0: 使能，1: 禁止

            uint8_t : 2; // 未定义的 bit 不能被改写

            uint8_t fullChargeCurrent : 2;
            // 充满截止电流设置：
            // 0: 100mA，1: 200mA, 3: 300mA，4: 400mA

            uint8_t batteryCellNum : 2;
            // 电池节数设置：
            // 0: 1节，1: 2节, 3: 3节，4: 4节
        } config;
    } funcConfig4;

    union
    {
        uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取

        struct
        {
            uint8_t : 4; // 未定义的 bit 不能被改写

            uint8_t chipOverTemp : 2;
            // 芯片过温温度设置：
            // 0: 120℃，1: 130℃, 3: 140℃，4: 150℃

            uint8_t peakCurrentLimit : 2;
            // 峰值限流设置，充放电共用此设置：
            // 0: 12A，1: 14A, 3: 16A，4: 18A
        } config;
    } funcConfig5;

    union
    {
        uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取

        struct
        {
            uint8_t func62368Enable : 1;
            // 62368 功能使能：
            // 0: 使能，1: 禁止

            uint8_t func62368IBUSLimitEnable : 1;
            // 处于 62368 的高低温状态，降低 IBUS 限流功能使能：
            // 0: 使能，1: 禁止

            uint8_t : 1; // 未定义的 bit 不能被改写

            uint8_t chargeOverTimeEnable : 1;
            // 充电超时使能：
            // 0: 使能，1: 禁止

            uint8_t trickleChargeTimeout : 2;
            // 涓流充电超时时间设置：
            // 0: 30分钟，1: 1小时, 3: 2小时，4: 4小时

            uint8_t constantCurrentChargeTimeout : 2;
            // 恒流充电超时时间设置：
            // 0: 12小时，1: 24小时, 3: 48小时，4: 72小时
        } config;
    } funcConfig6;

    union
    {
        uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取

        struct
        {
            uint8_t func62368LowTempCurrentLimit : 2;
            // 处于 62368 的低温状态，降低限流设置：
            // 当 funcConfig6.func62368IBUSLimitEnable=0 时，同时降低 IBUS 和 IBAT 的限流值
            // funcConfig6.func62368IBUSLimitEnable=1 时，只降低 IBAT 的限流值
            // 0: 降低到设置值的 1/2，1: 降低到设置值的 1/4, 3: 不降低，4: 保留（不可选）

            uint8_t func62368HighTempCurrentLimit : 2;
            // 处于 62368 的高温状态，降低限流设置：
            // 当 funcConfig6.func62368IBUSLimitEnable=0 时，同时降低 IBUS 和 IBAT 的限流值
            // funcConfig6.func62368IBUSLimitEnable=1 时，只降低 IBAT 的限流值
            // 0: 降低到设置值的 1/2，1: 降低到设置值的 1/4, 3: 不降低，4: 保留（不可选）

            uint8_t func62368LowTempVoltageLimit : 1;
            // 处于 62368 的低温状态，降低充电目标电压设置：
            // 0: 充电目标电压降低电池节数设置值*0.1V，1: 不降低充电目标电压

            uint8_t func62368HighTempVoltageLimit : 1;
            // 处于 62368 的高温状态，降低充电目标电压设置：
            // 0: 充电目标电压降低电池节数设置值*0.1V，1: 不降低充电目标电压

            uint8_t func62368LowTempHysteresis : 1;
            // 62368 低温迟滞：
            // 0: 5℃，1: 10℃

            uint8_t func62368HighTempHysteresis : 1;
            // 62368 高温迟滞：
            // 0: 5℃，1: 10℃
        } config;
    } funcConfig7;

    union
    {
        uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取

        struct
        {
            uint8_t dischargeNTCHighLimit : 2;
            // 放电 NTC 高温门限：
            // 0: 50℃，1: 55℃，2: 60℃，3: 65℃

            uint8_t dischargeNTCLowLimit : 2;
            // 放电 NTC 低温门限：
            // 0: -10℃，1: -5℃，2: 0℃，3: -20℃

            uint8_t chargeNTCHighLimit : 2;
            // 充电 NTC 高温门限：
            // 0: 50℃，1: 55℃，2: 60℃，3: 65℃

            uint8_t chargeNTCLowLimit : 2;
            // 充电 NTC 低温门限：
            // 0: -10℃，1: -5℃，2: 0℃，3: -20℃
        } config;
    } NTCConfig;

    union
    {
        uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取

        struct
        {
            uint8_t : 1; // 未定义的 bit 不能被改写

            uint8_t NVDCLearnModeEnable : 1;
            // 学习模式使能：
            // 适配器接入时，关闭充放电，NVDC 处于全打开状态
            // 0: 禁止，1: 使能

            uint8_t : 4; // 未定义的 bit 不能被改写

            uint8_t VSYSOverVoltage : 2;
            // VSYS 过载门限：
            // 电池节数为 2~4 节时
            // 0: 6V，1: 5.75V，2: 6.25V，3: 6.5V
            // 电池节数为 1 节时
            // 0: 3.1V，1: 2.85V，2: 3.35V，3: 3.6V
        } config;
    } NVDCConfig1;

    union
    {
        uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取

        struct
        {
            uint8_t : 4; // 未定义的 bit 不能被改写

            uint8_t trickleCurrent : 2;
            // 涓流电流设置：
            // 0: 100mA，1: 200mA，2: 300mA，3: 400mA

            uint8_t trickleCurrentHysteresis : 2;
            // 涓流电压迟滞设置：
            // 默认值根据 BSSET 电阻设置的电池节数，设置为电池节数*0.1V
            // 0: 0.1V，1: 0.2V，2: 0.3V，3: 0.4V
        } config;
    } trickleConfig; // 涓流电流设置
} sw7203_config_t;

uint8_t sw7203_I2C_address_find(i2c_master_bus_handle_t I2C_bus_handle);
esp_err_t sw7203init(sw7203_config_t *sw7023_config, i2c_master_bus_handle_t I2C_bus_handle, uint8_t I2C_address);

const uint8_t SW7203RegAddress_bitmask[][2] = {
    {0x18, 0b00010011},
    {0x1A, 0b00000011},
    {0x20, 0b11100111},
    {0x21, 0b11111111},
    {0x22, 0b11110000},
    {0x30, 0b11001111},
    {0x31, 0b00001111},
    {0x32, 0b11011111},
    {0x33, 0b11111111},
    {0x34, 0b11111111},
    {0x35, 0b00000111},
    {0x36, 0b01111111},
    {0x37, 0b00001111},
    {0x38, 0b11111111},
    {0x39, 0b01111111},
    {0x3A, 0b01111111},
    {0x40, 0b01000011},
    {0x41, 0b00011111},
    {0x42, 0b01111111},
    {0x42, 0b11111111},
    {0x44, 0b00000011},
};

#endif