#ifndef __SW7203_H__ #define __SW7203_H__ #include "driver/i2c.h" #include "esp_log.h" typedef struct { i2c_port_t i2c_num; uint8_t i2c_address; } sw7203_i2c_config; typedef union { uint8_t hex; struct { uint8_t adc_filter_time : 2; // 0: 10mS 1:20mS 2:40mS 4: 80mS uint8_t : 2; uint8_t adc_data : 4; // 0: VBAT电压 1: VBUS电压 4: VBAT充电电流 5: VBUS 充电电流 6: VBAT 放电电流 7:VBUS 放电电流 8: 芯片温度 9: NTC电压 10: VSYS电压 } config; } adc_config; typedef enum { sw7203_I2c_0x3C = 0x3C, sw7203_I2c_0x38 = 0x38, sw7203_I2c_0x1C = 0x1C, sw7203_I2c_0x18 = 0x18 } sw7203_I2C_address_t; typedef struct { uint16_t chargeVoltage_cV; // 放电 VBUS 输出电压设置 [300,1920] 单位：厘伏（cV） } sw7203_Vout_config_t; typedef struct { sw7203_i2c_config i2cHost; sw7203_I2C_address_t i2cAddress; uint16_t chargeVoltage_cV; // 充电目标电压设置 [300,1920] 单位：厘伏（cV） uint8_t trickleVoltage_dV; // 涓流电压设置 [25,132] 单位：分伏（dV） uint8_t chargeVBUSVoltageLimit_dV; // 防拉挂电压设置 [40,200] 单位：分伏（dV） uint8_t chargeVBUSCurrentLimit_5cA; // 充电 VBUS 输入限流设置 [10,137] 单位：五十毫安/五厘安（50mA/5cA） uint8_t chargeVBATCurrentLimit_dA; // 充电 VBAT 输入限流设置 [1,120] 单位：分安（dA） uint8_t VSYSMinVoltage_2dV; // VSYMIN 电压设置 [15,83] 单位：2分伏（2dV/0.2V） union { uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取 struct { uint8_t : 3; // 未定义的 bit 不能被改写 uint8_t shutdownLowPowerModeEnable : 1; // 关机低功耗模式使能标志位： // 0: 启用关机低功耗模式，1: 禁用关机低功耗模式 uint8_t : 2; // 未定义的 bit 不能被改写 uint8_t a1PortDetectEnable : 1; // A1端口检测使能标志位： // 0: 禁用A1端口检测，1: 启用A1端口检测 uint8_t a2PortDetectEnable : 1; // A2端口检测使能标志位： // 0: 禁用A2端口检测，1: 启用A2端口检测 } config; } connectDetect; // 负载接入检测及低功耗模式控制 union { uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取 struct { uint8_t switchFrequency : 2; // 开关频率选项： // 0: 300KHz，1: 200KHz，2: 400KHz，3: 800KHz uint8_t forcePWMModeEnable : 1; // 强制 PWM 模式使能： // 0: 禁用，1: 启用 uint8_t : 2; // 未定义的 bit 不能被改写 uint8_t NTCProtectEnable : 1; // NTC 过温保护使能 // 0: 启用，1: 禁用 uint8_t PowerMOSMinConductTime : 1; // 功率管最小导通时间设置： // 0: 下管最小导通时间 112nS，上管最小导通时间 133nS // 1: 下管最小导通时间 58nS，上管最小导通时间 81nS uint8_t VBUSVoltageRegulationMethod : 1; // VBUS 输出调压方式选择： // 0: I2C 调压，1: FB 调压 } config; } funcConfig1; union { uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取 struct { uint8_t deadzoneM1OpenM2Closed : 2; // M2 关 M1 开死区设置： // 0: 60nS，1: 20nS，2: 40nS，3: 80nS uint8_t deadzoneM1ClosedM2Open : 2; // M2 关 M1 开死区设置： // 0: 60nS，1: 20nS，2: 40nS，3: 60nS uint8_t deadzoneM3ClosedM4Open : 2; // M3 关 M4 开死区设置： // 0: 60nS，1: 20nS，2: 40nS，3: 80nS uint8_t deadzoneM3OpenM4Closed : 2; // M4 关 M3 开死区设置： // 0: 60nS，1: 20nS，2: 40nS，3: 60nS } config; } funcConfig2; union { uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取 struct { uint8_t M2MOSRdsOn : 2; // M2 功率管内阻设置： // 0: 2.5mR，1: 5mR，2: 7.5mR，3: 10mR uint8_t nductanceValue : 2; // 电感感值设置： // 0: 1uH，1: 2.2uH，2: 3.3uH，3: 4.7uH uint8_t : 4; // 未定义的 bit 不能被改写 } config; } funcConfig3; union { uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取 struct { uint8_t ACOutRegResetControl : 1; // 适配器移出是否清除充电开关控制位： // 0: 清除，1: 不清除 uint8_t stopChargingOnFullEnable : 1; // 充满停充使能： // 0: 使能，1: 禁止 uint8_t : 2; // 未定义的 bit 不能被改写 uint8_t fullChargeCurrent : 2; // 充满截止电流设置： // 0: 100mA，1: 200mA, 3: 300mA，4: 400mA uint8_t batteryCellNum : 2; // 电池节数设置： // 0: 1节，1: 2节, 3: 3节，4: 4节 } config; } funcConfig4; union { uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取 struct { uint8_t : 4; // 未定义的 bit 不能被改写 uint8_t chipOverTemp : 2; // 芯片过温温度设置： // 0: 120℃，1: 130℃, 3: 140℃，4: 150℃ uint8_t peakCurrentLimit : 2; // 峰值限流设置，充放电共用此设置： // 0: 12A，1: 14A, 3: 16A，4: 18A } config; } funcConfig5; union { uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取 struct { uint8_t func62368Enable : 1; // 62368 功能使能： // 0: 使能，1: 禁止 uint8_t func62368IBUSLimitEnable : 1; // 处于 62368 的高低温状态，降低 IBUS 限流功能使能： // 0: 使能，1: 禁止 uint8_t : 1; // 未定义的 bit 不能被改写 uint8_t chargeOverTimeEnable : 1; // 充电超时使能： // 0: 使能，1: 禁止 uint8_t trickleChargeTimeout : 2; // 涓流充电超时时间设置： // 0: 30分钟，1: 1小时, 3: 2小时，4: 4小时 uint8_t constantCurrentChargeTimeout : 2; // 恒流充电超时时间设置： // 0: 12小时，1: 24小时, 3: 48小时，4: 72小时 } config; } funcConfig6; union { uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取 struct { uint8_t func62368LowTempCurrentLimit : 2; // 处于 62368 的低温状态，降低限流设置： // 当 funcConfig6.func62368IBUSLimitEnable=0 时，同时降低 IBUS 和 IBAT 的限流值 // funcConfig6.func62368IBUSLimitEnable=1 时，只降低 IBAT 的限流值 // 0: 降低到设置值的 1/2，1: 降低到设置值的 1/4, 3: 不降低，4: 保留（不可选） uint8_t func62368HighTempCurrentLimit : 2; // 处于 62368 的高温状态，降低限流设置： // 当 funcConfig6.func62368IBUSLimitEnable=0 时，同时降低 IBUS 和 IBAT 的限流值 // funcConfig6.func62368IBUSLimitEnable=1 时，只降低 IBAT 的限流值 // 0: 降低到设置值的 1/2，1: 降低到设置值的 1/4, 3: 不降低，4: 保留（不可选） uint8_t func62368LowTempVoltageLimit : 1; // 处于 62368 的低温状态，降低充电目标电压设置： // 0: 充电目标电压降低电池节数设置值*0.1V，1: 不降低充电目标电压 uint8_t func62368HighTempVoltageLimit : 1; // 处于 62368 的高温状态，降低充电目标电压设置： // 0: 充电目标电压降低电池节数设置值*0.1V，1: 不降低充电目标电压 uint8_t func62368LowTempHysteresis : 1; // 62368 低温迟滞： // 0: 5℃，1: 10℃ uint8_t func62368HighTempHysteresis : 1; // 62368 高温迟滞： // 0: 5℃，1: 10℃ } config; } funcConfig7; union { uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取 struct { uint8_t dischargeNTCHighLimit : 2; // 放电 NTC 高温门限： // 0: 50℃，1: 55℃，2: 60℃，3: 65℃ uint8_t dischargeNTCLowLimit : 2; // 放电 NTC 低温门限： // 0: -10℃，1: -5℃，2: 0℃，3: -20℃ uint8_t chargeNTCHighLimit : 2; // 充电 NTC 高温门限： // 0: 50℃，1: 55℃，2: 60℃，3: 65℃ uint8_t chargeNTCLowLimit : 2; // 充电 NTC 低温门限： // 0: -10℃，1: -5℃，2: 0℃，3: -20℃ } config; } NTCConfig; union { uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取 struct { uint8_t : 1; // 未定义的 bit 不能被改写 uint8_t NVDCLearnModeEnable : 1; // 学习模式使能： // 适配器接入时，关闭充放电，NVDC 处于全打开状态 // 0: 禁止，1: 使能 uint8_t : 4; // 未定义的 bit 不能被改写 uint8_t VSYSOverVoltage : 2; // VSYS 过载门限： // 电池节数为 2~4 节时 // 0: 6V，1: 5.75V，2: 6.25V，3: 6.5V // 电池节数为 1 节时 // 0: 3.1V，1: 2.85V，2: 3.35V，3: 3.6V } config; } NVDCConfig1; union { uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取 struct { uint8_t : 4; // 未定义的 bit 不能被改写 uint8_t trickleCurrent : 2; // 涓流电流设置： // 0: 100mA，1: 200mA，2: 300mA，3: 400mA uint8_t trickleCurrentHysteresis : 2; // 涓流电压迟滞设置： // 默认值根据 BSSET 电阻设置的电池节数，设置为电池节数*0.1V // 0: 0.1V，1: 0.2V，2: 0.3V，3: 0.4V } config; } trickleConfig; // 涓流电流设置 } sw7203_config_t; #endif