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C
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C
#ifndef __SW7203_H__
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#define __SW7203_H__
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#include "driver/i2c.h"
|
||
#include "esp_log.h"
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typedef struct
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{
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i2c_port_t i2c_num;
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||
uint8_t i2c_address;
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} sw7203_i2c_config;
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typedef union
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{
|
||
uint8_t hex;
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||
struct
|
||
{
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uint8_t adc_filter_time : 2; // 0: 10mS 1:20mS 2:40mS 4: 80mS
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||
uint8_t : 2;
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||
uint8_t adc_data : 4; // 0: VBAT电压 1: VBUS电压 4: VBAT充电电流 5: VBUS 充电电流 6: VBAT 放电电流 7:VBUS 放电电流 8: 芯片温度 9: NTC电压 10: VSYS电压
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} config;
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} adc_config;
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typedef enum
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{
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sw7203_I2c_0x3C = 0x3C,
|
||
sw7203_I2c_0x38 = 0x38,
|
||
sw7203_I2c_0x1C = 0x1C,
|
||
sw7203_I2c_0x18 = 0x18
|
||
} sw7203_I2C_address_t;
|
||
|
||
typedef struct
|
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{
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uint16_t VBUSVoltage_cV; // 放电 VBUS 输出电压设置 [300,2200] 单位：厘伏（cV）
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uint8_t VBUSCurrentLimit_5cA; // 充电 VBUS 输入限流设置 [10,137] 单位：五十毫安/五厘安（50mA/5cA）
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uint8_t VBATCurrentLimit_dA; // 充电 VBAT 输入限流设置 [1,120] 单位：分安（dA）
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||
uint8_t VBATVoltageLimit_dV; // 放电 VBAT 欠压设置 [27,1320] 单位：分伏（dV）
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||
uint8_t VBATVoltageLimitHysteresis_dV; // 放电 VBAT 欠压迟滞设置 [4,20] 单位：分伏（dV）
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} sw7203_Vout_config_t;
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||
typedef struct
|
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{
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sw7203_i2c_config i2cHost;
|
||
sw7203_I2C_address_t i2cAddress;
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||
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uint16_t chargeVoltage_cV; // 充电目标电压设置 [300,1920] 单位：厘伏（cV）
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uint8_t trickleVoltage_dV; // 涓流电压设置 [25,132] 单位：分伏（dV）
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uint8_t chargeVBUSVoltageLimit_dV; // 防拉挂电压设置 [40,200] 单位：分伏（dV）
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||
uint8_t chargeVBUSCurrentLimit_5cA; // 充电 VBUS 输入限流设置 [10,137] 单位：五十毫安/五厘安（50mA/5cA）
|
||
uint8_t chargeVBATCurrentLimit_dA; // 充电 VBAT 输入限流设置 [1,120] 单位：分安（dA）
|
||
uint8_t VSYSMinVoltage_2dV; // VSYMIN 电压设置 [15,83] 单位：2分伏（2dV/0.2V）
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||
|
||
union
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||
{
|
||
uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取
|
||
|
||
struct
|
||
{
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||
uint8_t : 3; // 未定义的 bit 不能被改写
|
||
|
||
uint8_t shutdownLowPowerModeEnable : 1;
|
||
// 关机低功耗模式使能标志位：
|
||
// 0: 启用关机低功耗模式，1: 禁用关机低功耗模式
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||
|
||
uint8_t : 2; // 未定义的 bit 不能被改写
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||
|
||
uint8_t a1PortDetectEnable : 1;
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||
// A1端口检测使能标志位：
|
||
// 0: 禁用A1端口检测，1: 启用A1端口检测
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||
|
||
uint8_t a2PortDetectEnable : 1;
|
||
// A2端口检测使能标志位：
|
||
// 0: 禁用A2端口检测，1: 启用A2端口检测
|
||
} config;
|
||
} connectDetect; // 负载接入检测及低功耗模式控制
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||
|
||
union
|
||
{
|
||
uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取
|
||
|
||
struct
|
||
{
|
||
uint8_t switchFrequency : 2;
|
||
// 开关频率选项：
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||
// 0: 300KHz，1: 200KHz，2: 400KHz，3: 800KHz
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||
|
||
uint8_t forcePWMModeEnable : 1;
|
||
// 强制 PWM 模式使能：
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||
// 0: 禁用，1: 启用
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||
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||
uint8_t : 2; // 未定义的 bit 不能被改写
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||
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||
uint8_t NTCProtectEnable : 1;
|
||
// NTC 过温保护使能
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||
// 0: 启用，1: 禁用
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||
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||
uint8_t PowerMOSMinConductTime : 1;
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||
// 功率管最小导通时间设置：
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||
// 0: 下管最小导通时间 112nS，上管最小导通时间 133nS
|
||
// 1: 下管最小导通时间 58nS，上管最小导通时间 81nS
|
||
|
||
uint8_t VBUSVoltageRegulationMethod : 1;
|
||
// VBUS 输出调压方式选择：
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||
// 0: I2C 调压，1: FB 调压
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||
} config;
|
||
} funcConfig1;
|
||
|
||
union
|
||
{
|
||
uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取
|
||
|
||
struct
|
||
{
|
||
uint8_t deadzoneM1OpenM2Closed : 2;
|
||
// M2 关 M1 开死区设置：
|
||
// 0: 60nS，1: 20nS，2: 40nS，3: 80nS
|
||
|
||
uint8_t deadzoneM1ClosedM2Open : 2;
|
||
// M2 关 M1 开死区设置：
|
||
// 0: 60nS，1: 20nS，2: 40nS，3: 60nS
|
||
|
||
uint8_t deadzoneM3ClosedM4Open : 2;
|
||
// M3 关 M4 开死区设置：
|
||
// 0: 60nS，1: 20nS，2: 40nS，3: 80nS
|
||
|
||
uint8_t deadzoneM3OpenM4Closed : 2;
|
||
// M4 关 M3 开死区设置：
|
||
// 0: 60nS，1: 20nS，2: 40nS，3: 60nS
|
||
} config;
|
||
} funcConfig2;
|
||
|
||
union
|
||
{
|
||
uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取
|
||
|
||
struct
|
||
{
|
||
uint8_t M2MOSRdsOn : 2;
|
||
// M2 功率管内阻设置：
|
||
// 0: 2.5mR，1: 5mR，2: 7.5mR，3: 10mR
|
||
|
||
uint8_t nductanceValue : 2;
|
||
// 电感感值设置：
|
||
// 0: 1uH，1: 2.2uH，2: 3.3uH，3: 4.7uH
|
||
|
||
uint8_t : 4; // 未定义的 bit 不能被改写
|
||
} config;
|
||
} funcConfig3;
|
||
|
||
union
|
||
{
|
||
uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取
|
||
|
||
struct
|
||
{
|
||
uint8_t ACOutRegResetControl : 1;
|
||
// 适配器移出是否清除充电开关控制位：
|
||
// 0: 清除，1: 不清除
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||
|
||
uint8_t stopChargingOnFullEnable : 1;
|
||
// 充满停充使能：
|
||
// 0: 使能，1: 禁止
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||
|
||
uint8_t : 2; // 未定义的 bit 不能被改写
|
||
|
||
uint8_t fullChargeCurrent : 2;
|
||
// 充满截止电流设置：
|
||
// 0: 100mA，1: 200mA, 3: 300mA，4: 400mA
|
||
|
||
uint8_t batteryCellNum : 2;
|
||
// 电池节数设置：
|
||
// 0: 1节，1: 2节, 3: 3节，4: 4节
|
||
} config;
|
||
} funcConfig4;
|
||
|
||
union
|
||
{
|
||
uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取
|
||
|
||
struct
|
||
{
|
||
uint8_t : 4; // 未定义的 bit 不能被改写
|
||
|
||
uint8_t chipOverTemp : 2;
|
||
// 芯片过温温度设置：
|
||
// 0: 120℃，1: 130℃, 3: 140℃，4: 150℃
|
||
|
||
uint8_t peakCurrentLimit : 2;
|
||
// 峰值限流设置，充放电共用此设置：
|
||
// 0: 12A，1: 14A, 3: 16A，4: 18A
|
||
} config;
|
||
} funcConfig5;
|
||
|
||
union
|
||
{
|
||
uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取
|
||
|
||
struct
|
||
{
|
||
uint8_t func62368Enable : 1;
|
||
// 62368 功能使能：
|
||
// 0: 使能，1: 禁止
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||
|
||
uint8_t func62368IBUSLimitEnable : 1;
|
||
// 处于 62368 的高低温状态，降低 IBUS 限流功能使能：
|
||
// 0: 使能，1: 禁止
|
||
|
||
uint8_t : 1; // 未定义的 bit 不能被改写
|
||
|
||
uint8_t chargeOverTimeEnable : 1;
|
||
// 充电超时使能：
|
||
// 0: 使能，1: 禁止
|
||
|
||
uint8_t trickleChargeTimeout : 2;
|
||
// 涓流充电超时时间设置：
|
||
// 0: 30分钟，1: 1小时, 3: 2小时，4: 4小时
|
||
|
||
uint8_t constantCurrentChargeTimeout : 2;
|
||
// 恒流充电超时时间设置：
|
||
// 0: 12小时，1: 24小时, 3: 48小时，4: 72小时
|
||
} config;
|
||
} funcConfig6;
|
||
|
||
union
|
||
{
|
||
uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取
|
||
|
||
struct
|
||
{
|
||
uint8_t func62368LowTempCurrentLimit : 2;
|
||
// 处于 62368 的低温状态，降低限流设置：
|
||
// 当 funcConfig6.func62368IBUSLimitEnable=0 时，同时降低 IBUS 和 IBAT 的限流值
|
||
// funcConfig6.func62368IBUSLimitEnable=1 时，只降低 IBAT 的限流值
|
||
// 0: 降低到设置值的 1/2，1: 降低到设置值的 1/4, 3: 不降低，4: 保留（不可选）
|
||
|
||
uint8_t func62368HighTempCurrentLimit : 2;
|
||
// 处于 62368 的高温状态，降低限流设置：
|
||
// 当 funcConfig6.func62368IBUSLimitEnable=0 时，同时降低 IBUS 和 IBAT 的限流值
|
||
// funcConfig6.func62368IBUSLimitEnable=1 时，只降低 IBAT 的限流值
|
||
// 0: 降低到设置值的 1/2，1: 降低到设置值的 1/4, 3: 不降低，4: 保留（不可选）
|
||
|
||
uint8_t func62368LowTempVoltageLimit : 1;
|
||
// 处于 62368 的低温状态，降低充电目标电压设置：
|
||
// 0: 充电目标电压降低电池节数设置值*0.1V，1: 不降低充电目标电压
|
||
|
||
uint8_t func62368HighTempVoltageLimit : 1;
|
||
// 处于 62368 的高温状态，降低充电目标电压设置：
|
||
// 0: 充电目标电压降低电池节数设置值*0.1V，1: 不降低充电目标电压
|
||
|
||
uint8_t func62368LowTempHysteresis : 1;
|
||
// 62368 低温迟滞：
|
||
// 0: 5℃，1: 10℃
|
||
|
||
uint8_t func62368HighTempHysteresis : 1;
|
||
// 62368 高温迟滞：
|
||
// 0: 5℃，1: 10℃
|
||
} config;
|
||
} funcConfig7;
|
||
|
||
union
|
||
{
|
||
uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取
|
||
|
||
struct
|
||
{
|
||
uint8_t dischargeNTCHighLimit : 2;
|
||
// 放电 NTC 高温门限：
|
||
// 0: 50℃，1: 55℃，2: 60℃，3: 65℃
|
||
|
||
uint8_t dischargeNTCLowLimit : 2;
|
||
// 放电 NTC 低温门限：
|
||
// 0: -10℃，1: -5℃，2: 0℃，3: -20℃
|
||
|
||
uint8_t chargeNTCHighLimit : 2;
|
||
// 充电 NTC 高温门限：
|
||
// 0: 50℃，1: 55℃，2: 60℃，3: 65℃
|
||
|
||
uint8_t chargeNTCLowLimit : 2;
|
||
// 充电 NTC 低温门限：
|
||
// 0: -10℃，1: -5℃，2: 0℃，3: -20℃
|
||
} config;
|
||
} NTCConfig;
|
||
|
||
union
|
||
{
|
||
uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取
|
||
|
||
struct
|
||
{
|
||
uint8_t : 1; // 未定义的 bit 不能被改写
|
||
|
||
uint8_t NVDCLearnModeEnable : 1;
|
||
// 学习模式使能：
|
||
// 适配器接入时，关闭充放电，NVDC 处于全打开状态
|
||
// 0: 禁止，1: 使能
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||
|
||
uint8_t : 4; // 未定义的 bit 不能被改写
|
||
|
||
uint8_t VSYSOverVoltage : 2;
|
||
// VSYS 过载门限：
|
||
// 电池节数为 2~4 节时
|
||
// 0: 6V，1: 5.75V，2: 6.25V，3: 6.5V
|
||
// 电池节数为 1 节时
|
||
// 0: 3.1V，1: 2.85V，2: 3.35V，3: 3.6V
|
||
} config;
|
||
} NVDCConfig1;
|
||
|
||
union
|
||
{
|
||
uint8_t hex; // 8位无符号整数，用于将位域组合成一个字节方便程序读取
|
||
|
||
struct
|
||
{
|
||
uint8_t : 4; // 未定义的 bit 不能被改写
|
||
|
||
uint8_t trickleCurrent : 2;
|
||
// 涓流电流设置：
|
||
// 0: 100mA，1: 200mA，2: 300mA，3: 400mA
|
||
|
||
uint8_t trickleCurrentHysteresis : 2;
|
||
// 涓流电压迟滞设置：
|
||
// 默认值根据 BSSET 电阻设置的电池节数，设置为电池节数*0.1V
|
||
// 0: 0.1V，1: 0.2V，2: 0.3V，3: 0.4V
|
||
} config;
|
||
} trickleConfig; // 涓流电流设置
|
||
} sw7203_config_t;
|
||
|
||
esp_err_t sw7203_register_read(i2c_port_t i2c_num, uint8_t i2c_addr, uint8_t reg_addr, uint8_t *data, size_t len);
|
||
esp_err_t sw7203_register_write(i2c_port_t i2c_num, uint8_t i2c_addr, uint8_t reg_addr, uint8_t *data, size_t len);
|
||
|
||
uint8_t sw7203_I2C_address_find(i2c_port_t i2c_num);
|
||
esp_err_t sw7203init(sw7203_config_t *config);
|
||
|
||
#endif |